인텔 파운드리와 반도체 노광장비 기업 ASML이 차세대 리소그래피 기술인 '하이 NA EUV'의 양산 적용 및 도입 성과를 공개하며 차세대 프로세서 생산 가속화에 나섰다. 양사는 금주 미국 캘리포니아 몬터레이에서 개최된 'SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 차세대 극자외선 공정(SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography)' 컨퍼런스에서 하이 NA EUV 공정의 주요 기술 진전 상황을 발표했다.
하이 NA EUV 기술은 기존 EUV(NA 0.33 사양)보다 해상도를 극대화해 초미세 회로를 정밀하게 그릴 수 있는 차세대 노광 공정이다. 인텔 파운드리에 따르면, 이 기술은 일부 레이어 양산을 포함해 현재까지 100만 장 이상의 웨이퍼 공정에 지속적으로 투입됐다. 이를 통해 오버레이, 스루풋, 가동률 측면에서 기존 목표치에 부합하는 결과를 얻었다고 설명했다.
특히 인텔 18A 공정의 일부 레이어에 하이 NA EUV를 적용해 생산된 제품들은 기존 NXE 플랫폼 기반 제품과 비교했을 때 대등하거나 이를 상회하는 성능을 지속해서 보여준 것으로 확인됐다. 점차 고성능 환경을 요구되는 현대 사회에서 초미세 공정 기반의 처리 능력 증대 및 전력 효율 제어가 실제 제품 제조 단계에서 안정적으로 구현되고 있음을 시사한다.
또한 양사는 반도체 설계 고객들이 기존 표준 규격인 6인치 마스크를 유지하면서도 하이 NA 기술의 이점을 누릴 수 있도록 레티클 스티칭(Reticle Stitching) 기술과 공정 설계 키트(PDK) 솔루션을 제공하고 있다. 이를 통해 설계 복잡성을 낮추고 생산 효율을 유지할 수 있다.
인텔 파운드리는 지난 3년 이상 대형 마스크 포맷 이니셔티브를 주도해 왔으며, ASML을 비롯해 마스크 제조사, EDA 파트너, 소재 및 자동화 공급업체들과 협력하여 향후 대형 마스크 규격(6x12인치)으로의 전환 및 생태계 표준화를 지속적으로 추진할 방침이다.
크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML 사장 겸 CEO는 "인텔 파운드리는 2024년 최초의 상용 EXE 시스템 도입부터 최신 세대 장비의 도입 검증, 하이 NA로 제조된 첫 양산형 로직 제품의 출하에 이르기까지 산업 전반의 하이 NA 도입을 이끈 핵심 리더 중 하나다"라며, "ASML은 하이 NA 분야에서 인텔 파운드리의 선구적인 역할과 6인치 마스크로 현재 가치를 창출해 내는 혁신, 그리고 6x12인치 마스크로의 진화를 오랫동안 지원해 온 점을 높이 평가한다"라고 전했다.
나가 찬드라세카란(Naga Chandrasekaran) 인텔 수석 부사장 겸 인텔 파운드리 공동 총괄 매니저는 "점점 더 복잡해지는 AI 제품을 개발하는 기업들에게는 양산에 즉시 적용 가능하고 사용하기 쉬운 제조 혁신이 필요하다"라며, "인텔 파운드리는 리소그래피 역량 측면에서 스티칭(Stitching) 기술의 적용 여부와 관계없이 6인치 마스크 상에서 하이 NA를 단기적으로 지원하는 것과 6x12인치 마스크로 전환하는 데 집중하고 있다. 앞으로도 이러한 전환을 실현하기 위해 ASML 및 업계 전체와 긴밀히 협력해 나갈 것이다"라고 전했다.
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