글로벌 D램 시장에서 중국 CXMT와 대만 난야 등 후발주자들이 빅3 추격을 위한 공격적 투자에 나섰다.
대만 난야는 2029년까지 약 15조 원을 들이는 창사 이래 최대 규모의 신공장 투자안을 승인했다.
난야는 올해 설비투자 규모도 34% 확대해 신공장 장비 선급금과 첨단 공정 등에 집중 투자한다.
신공장에는 EUV 장비를 도입해 차세대 10나노급 D램을 내년 하반기부터 본격 생산할 예정이다.
중국 CXMT도 14조 원 규모의 IPO 자금을 차세대 D램 기술 업그레이드와 생산라인 고도화에 쏟는다.
이들 후발 업체는 최근 메모리 호황 덕분에 매출이 폭발적으로 성장하며 실적이 크게 개선됐다.
올해 2분기 CXMT와 난야의 D램 매출은 전년 동기 대비 각각 716%, 690% 급증했다.
메모리 빅3인 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4 등 첨단 제품 중심으로 차세대 경쟁력을 강화 중이다.
중국과 대만 업체들의 투자 가세로 글로벌 메모리 시장의 기술 및 점유율 경쟁은 한층 치열해질 것이다.
업계는 후발주자와의 기술 격차는 있으나, AI 수요 기반의 메모리 증설 경쟁은 당분간 계속될 것으로 전망했다.