삼성전자가 초격자 기술로 반도체 업계 난제인 '미세공정'의 한계를 극복하고 세계 최초로 10나노급 2세대 (1y나노) D램 양산에 돌입한다. 10나노급 1세대 제품 양산 이후 21개월 만이다.

이번 2세대 10나노급 D램은 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램 대비 30% 이상 생산성을 높였다. 이로써 프리미엄 D램 수요 증가에 적절히 대응할 수 있는 경쟁력을 구축했다.

2세대 10나노급 D램제품에는 3가지의 첨단 공정이 적용되었다. 먼저 '초고속, 초철전, 초소형 회로 설계'로 1세대 10나노급 D램에 비해 10% 이상의 속도가 향상되었으며 동시에 15% 이상의 소비 전력량을 절감할 수 있다.

초정밀 전압차이 감지 시스템으로 셀에 저장된 데이터를 보다 정밀하게 확인해 읽기 특성을 2배 향상시킨 '초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계' 기술도 적용되었다. 또한, 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정으로 셀 배열의 집적도를 높여 칩 사이즈를 대폭 줄였다.

삼성전자는 이번에 개발한 공정기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 확보했다.

한편, 삼성전자는 "발상을 전환한 혁신적인 기술 개발로 반도체의 미세화 기술의 한계를 돌파했다" 며 "향후 1y 나노 D램의 생산을 확대하고 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 밝혔다.