SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 최대 난제로 꼽혀온 발열을 패키지 안에서 직접 잡는 'iHBM' 카드를 꺼냈다.

SK하이닉스는 26일 HBM 패키지 안에 일체형 냉각 요소(ICE)를 적용해 열저항을 기존 대비 30% 이상 낮춘 'iHBM' 기술을 선보였다. ICE는 전기는 통하지 않지만 열 전도율이 높은 실리콘 소재 기반 구조물로, 패키지 안에 별도의 열 배출 경로를 형성한다.

HBM은 적층 단수 확대와 고속화로 성능이 커졌으나 동시에 발열 밀도도 빠르게 높아졌다. 특히 HBM과 그래픽처리장치(GPU)를 잇는 다이 투 다이(D2D) 물리계층(PHY) 구간의 열 제어가 차세대 메모리 경쟁의 핵심 변수로 떠올랐다.

기존 HBM은 코어 다이를 거쳐 외부로 열을 빼내는 간접 냉각 구조에 의존했다. iHBM은 발열이 집중되는 D2D PHY 영역 안에 ICE를 직접 심어 전용 방열 통로를 추가로 확보했다는 점이 차별점이다.

삼성전자는 지난 2월 16단 HBM4 양산 출하에 들어가면서 코어 다이 저전력 설계와 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 열저항 특성을 전 세대 대비 약 10% 개선했다고 밝혔다. SK하이닉스가 이번에 제시한 30% 수치는 양사 발열 기술 경쟁의 격차를 가시화한 수치로 해석된다.